机译:HCN在较宽的能量范围(0.1-10 000 eV)中的电子散射截面:永久偶极矩对散射过程的影响
机译:HCN在较宽的能量范围内(0.1-10 000 eV)的电子散射截面:永久偶极矩对散射过程的影响
机译:蒽在较宽的能量范围内(0.00001-10,000 eV)的电子散射截面
机译:O-2在0.1-10 keV的中高能下电子散射的横截面
机译:来自原子和分子的超低能量电子散射的横截面
机译:含有H,B,C,N,O,F,Si,P,S和CL的分子的总电子散射横截面在0.1-6.0 keV中
机译:通过吡啶的电子散射完整的横截面数据设置:在0-100eV中建模电子传输
机译:HCN在较宽的能量范围(0.1-10 000 eV)中的电子散射截面:永久偶极矩对散射过程的影响
机译:KeV能量范围内中性原子总电子非弹性散射截面的计算